UV-B型紫外輻照計執(zhí)行企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q/HDSDY0003－2014。采用SMT貼片技術(shù)，選用高精度低功耗數(shù)字芯片，儀器外殼為流線型設(shè)計，探測器經(jīng)過嚴(yán)格的光譜及角度特性校正，性能穩(wěn)定，適用性強。適用于光化學(xué)、高分子材料老化、紫外光源、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測量工作。

一、產(chǎn)品說明：

我廠生產(chǎn)的UV-B型紫外輻照計執(zhí)行企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q/HDSDY0003－2014。采用SMT貼片技術(shù)，選用高精度低功耗數(shù)字芯片，儀器外殼為流線型設(shè)計，探測器經(jīng)過嚴(yán)格的光譜及角度特性校正，性能穩(wěn)定，適用性強。適用于光化學(xué)、高分子材料老化、紫外光源、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測量工作。

二、技術(shù)參數(shù)：

1、輻照度測量范圍：(0.1～199.9×103) μW/cm2

2、相對示值誤差：±8％（相對于NIM標(biāo)準(zhǔn)）

3、波長范圍λ1，峰值波長λp ：（230～275）nm，λP＝254nm

4、波長范圍λ2，峰值波長λp ：（275～330）nm，λP＝297nm

5、紫外帶外區(qū)雜光：UV254<0.1%，UV297<0.05%    

6、角度響應(yīng)特性：±5% （α≤10°）  

7、線性誤差：±1%  

8、換檔誤差：±1%  

9、短期不穩(wěn)定性：±1%（開機30min后）  

10、疲勞特性：衰減量<2%  

11、零值誤差：滿量程的±1%  

12、響應(yīng)時間：<1秒  

13、使用環(huán)境：溫度(0~40)℃；濕度＜85％RH  

14、尺寸和重量：160×78×43mm；0.2kg  

15、電源：6F22型9V積層電池（非充電電池）  

16、整機功耗：＜0.1VA